با حمایت صندوق نوآوری و شکوفایی و به پیشنهاد یک تیم پژوهشی منتشر شد؛

انتشار فراخوان مشارکت در اکتساب فناوری طرح «دستیابی به دانش فنی توسعه سامانه زدایش عمودی عمیق به روش پلاسمای القایی»  

به گزارش روابط عمومی صندوق نوآوری و شکوفایی، صنعت الکترونیک و میکروالکترونیک پیشرفت‌های چشمگیری در حوزه ساخت ادوات میکروالکترومکانیکی داشته است. این ادوات به صورت روزافزون در زندگی ما جلوه‌گر شده‌اند. برای مثال استفاده از شتاب‌سنج‌ها و سنسورهای شتاب و نیز انواع حسگرها در صنایع خودروسازی، به صورت مستمر در حال تسری و پیشرفت هستند. 

 

ساخت این ادوات عمدتا بر پایه زدایش هوشمند سیلیکون بنا شده است. زدایش عمودی و عمیق سیلیکون نکته‌ای کلیدی و بنیادی در ساخت انواع میکروالکترومکانیکی است و این امر مستلزم وجود سامانه‌ای برای زدایش سیلیکون با شرایط دلخواه است. در این طرح ساخت یک سامانه زدایش عمودی و عمیق سیلیکون با استفاده از پلاسمای القایی مورد هدف قرار گرفته است. 

 

استفاده از پلاسمای القایی به صورت کوپل شده یا پلاسمای خازنی، امکان ایجاد گونه‌های لازم برای زدایش و کنترل فرآیند را محقق می‌کند و در نهایت ساختارهایی با عمق مناسب (50 الی 80 میکرومتر) و نسبت منظر قابل قبول (20 الی 30) ایجاد خواهد شد. سرعت زدایش بستگی به پیچیدگی اجزای طرح دارد و می‌تواند تا 0/8  میکرومتر بر دقیقه افزایش داشته باشد. 

 

اعلام آمادگی برای مشارکت در اکتساب فناوری حاصل از این فراخوان پژوهشی و ارائه درخواست تنها برای شرکت‌ها و شتابدهنده‌های دانش‌بنیان مجاز است. درخواستی که بیشترین تناسب را با الزامات این اکتساب فناوری داشته باشد، انتخاب و به عنوان «مشارکت‌کننده» برای مذاکرات تکمیلی به هسته پژوهشی متقاضی معرفی خواهد شد.

 

گروه‌های پژوهشی و فناور توانمند تا روز سه شنبه 15 آبان ۱۴۰۳ فرصت دارند پروپوزال و پیشنهاد‌های خود را در قالب Word از طریق سامانه غزال صندوق نوآوری و شکوفایی به نشانی ghazal.inif.ir ارسال و یا جهت ارتباط با کارگزاری خیام با شماره ۰9009209810 و ۰۲۱۶۶۵80943 تماس حاصل کنند.